SIDR638DP-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SIDR638DP-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 40V 100A SO-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.SIDR638DP-T1-GE3.pdf
2.SIDR638DP-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA
Vgs (Max)

+20V, -16V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® SO-8DC
Serie

TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.88 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)

125W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® SO-8
Andere Namen

SIDR638DP-T1-GE3TR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10500pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

204nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 40V 100A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

100A (Tc)

Das Folgende sind "SIDR638DP-T1-GE3" -Einziper.

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Beschreibung: MOSFET N-CH 80V

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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Beschreibung: DISPLAY PROGRAMMABLE

Hersteller: OSRAM Opto Semiconductors, Inc.

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SIDR668DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

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Beschreibung: MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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SIDC59D170HX1SA2

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.7KV 100A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

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Beschreibung: MOSFET N-CHAN 40V PPSO-8DC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

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SIDC81D120E6X1SA4

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 200A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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Beschreibung: MOSFET N-CHAN 30V

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SIDR622DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 150V

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.7KV 100A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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SIDR870ADP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 95A SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SIDC81D120H6X1SA2

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 150A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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SIDR626DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 60V

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SIDC78D170HX1SA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.7KV 150A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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SIDEGIG-GUITAREVM

Beschreibung: EVALUATION MODULE

Hersteller: Luminary Micro / Texas Instruments

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SIDR610DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SIDC56D60E6X1SA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 150A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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