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SIDR392DP-T1-GE3

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3000+

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Spezifikation

Artikelnummer

SIDR392DP-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CHAN 30V
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.SIDR392DP-T1-GE3.pdf
2.SIDR392DP-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

+20V, -16V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® SO-8DC
Serie

TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.62 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)

6.25W (Ta), 125W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® SO-8
Andere Namen

SIDR392DP-T1-GE3TR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9530pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

188nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 82A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

82A (Ta), 100A (Tc)

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Das Folgende sind "SIDR392DP-T1-GE3" -Einziper.

SIDR626DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 60V

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIDR392DP-T1-GE3

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