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SIDEGIG-GUITAREVM

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vorrätig
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SIDEGIG-GUITAREVM
  • Hersteller / Marke
    Luminary Micro/Texas Instruments
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    EVALUATION MODULE
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Nicht zutreffend / Nicht zutreffend
  • Serie
    -
  • Andere Namen
    296-47147
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Not applicable / Not applicable
  • Zum Gebrauch mit / Verwandte Produkte
    NE5532, RC4558
  • Zubehör-Typ
    Interface Board

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2024/11/14
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Zahlung
Das Folgende sind "SIDEGIG-GUITAREVM" -Einziper.
SIDC81D120E6X1SA4

SIDC81D120E6X1SA4

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SIDR622DP-T1-GE3

SIDR622DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 150V

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SIDC85D170HX1SA2

SIDC85D170HX1SA2

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.7KV 150A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SIDC56D170E6X1SA1

SIDC56D170E6X1SA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.7KV 75A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SIDR402DP-T1-GE3

SIDR402DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 40V PPSO-8DC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SIDR638DP-T1-GE3

SIDR638DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SIDC73D170E6X1SA2

SIDC73D170E6X1SA2

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.7KV 100A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SIDR610DP-T1-GE3

SIDR610DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SIDR392DP-T1-GE3

SIDR392DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 30V

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SIDC78D170HX1SA1

SIDC78D170HX1SA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.7KV 150A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SIDC59D170HX1SA2

SIDC59D170HX1SA2

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.7KV 100A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SIDR680DP-T1-GE3

SIDR680DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SIDC81D120F6X1SA1

SIDC81D120F6X1SA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SIDC56D60E6X1SA1

SIDC56D60E6X1SA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 150A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SIDR140DP-T1-GE3

SIDR140DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SIDR870ADP-T1-GE3

SIDR870ADP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 95A SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SIDC81D120H6X1SA2

SIDC81D120H6X1SA2

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 150A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SIDR668DP-T1-GE3

SIDR668DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SIDR626DP-T1-GE3

SIDR626DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 60V

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SIDC81D60E6X1SA3

SIDC81D60E6X1SA3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 200A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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