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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > SIHB35N60E-GE3

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SIHB35N60E-GE3-Bild.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHB35N60E-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SIHB35N60E-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SIHB35N60E-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D²PAK (TO-263)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

94 mOhm @ 17A, 10V
Verlustleistung (max)

250W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2760pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

132nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

650V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 650V 32A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

32A (Tc)

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Das Folgende sind "SIHB35N60E-GE3" -Einziper.

SIHD3N50D-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHD3N50D-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SIHD4N80E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 800V FP TO-252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHD12N50E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 500V DPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHB33N60ET5-GE3

SIHB33N60ET5-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 33A TO263

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHB8N50D-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 8.7A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHB6N65E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHD2N80E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHB30N60E-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHD14N60E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 13A DPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHD240N60E-GE3

SIHD240N60E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 600V DPAK TO-252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHB24N65ET5-GE3

SIHB24N65ET5-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 24A TO263

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHB30N60E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHB28N60EF-GE3

SIHB28N60EF-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHB25N50E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 26A TO263

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHB33N60EF-GE3

SIHB33N60EF-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 33A TO-263

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHD5N50D-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHB33N60E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 33A TO-263

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHB33N60ET1-GE3

SIHB33N60ET1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 33A TO263

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SIHB30N60AEL-GE3

SIHB30N60AEL-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 600V D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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