3612021

SIHD12N50E-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SIHD12N50E-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CHAN 500V DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SIHD12N50E-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D-PAK (TO-252AA)
Serie

E
Rds On (Max) @ Id, Vgs

380 mOhm @ 6A, 10V
Verlustleistung (max)

114W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

SIHD12N50E-GE3CT
SIHD12N50E-GE3CT-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

886pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

550V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 550V 10.5A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

10.5A (Tc)

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Das Folgende sind "SIHD12N50E-GE3" -Einziper.

SIHB33N60EF-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 33A TO-263

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHD12N50E-GE3

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