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SIHD3N50D-GE3-Bild.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHD3N50D-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SIHD3N50D-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SIHD3N50D-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-252AA
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.2 Ohm @ 2.5A, 10V
Verlustleistung (max)

69W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

SIHD3N50D-GE3CT
SIHD3N50D-GE3CT-ND
SIHD3N50DGE3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

175pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

500V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 500V 3A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

3A (Tc)

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Das Folgende sind "SIHD3N50D-GE3" -Einziper.

SIHD3N50D-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHD6N62ET1-GE3

SIHD6N62ET1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHB33N60ET1-GE3

SIHB33N60ET1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 33A TO263

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHB33N60ET5-GE3

SIHB33N60ET5-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 33A TO263

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHD240N60E-GE3

SIHD240N60E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 600V DPAK TO-252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHD6N65ET4-GE3

SIHD6N65ET4-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHD6N62E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 620V 6A TO-252

Hersteller: Vishay Siliconix

vorrätig

SIHB35N60E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHD5N50D-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHB6N65E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHD12N50E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 500V DPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHD5N50D-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHD2N80E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHD5N50D-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Hersteller: Vishay Siliconix

vorrätig

SIHB8N50D-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 8.7A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHD14N60E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 13A DPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHD6N62E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 620V 6A TO-252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHD4N80E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 800V FP TO-252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHD6N65E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 7A TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHD6N65ET1-GE3

SIHD6N65ET1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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