SIHB33N60ET5-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SIHB33N60ET5-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 33A TO263
Bleifreier Status / RoHS Status
Datenblätte

SIHB33N60ET5-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-263 (D²Pak)
Serie

E
Rds On (Max) @ Id, Vgs

99 mOhm @ 16.5A, 10V
Verlustleistung (max)

278W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3508pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 33A (Tc) 278W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

33A (Tc)

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Das Folgende sind "SIHB33N60ET5-GE3" -Einziper.

SIHB33N60E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 33A TO-263

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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