SIHD5N50D-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SIHD5N50D-GE3
Hersteller / Marke

Vishay / Siliconix
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SIHD5N50D-GE3.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Prüfung

325pF @ 100V
Spannung - Durchschlag

TO-252AA
VGS (th) (Max) @ Id

1.5 Ohm @ 2.5A, 10V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

-
RoHS Status

Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.3A (Tc)
Polarisation

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

SIHD5N50D-GE3TR
SIHD5N50DGE3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer

SIHD5N50D-GE3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

20nC @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5V @ 250µA
FET-Merkmal

N-Channel
Expanded Beschreibung

N-Channel 500V 5.3A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Drain-Source-Spannung (Vdss)

-
Beschreibung

MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

500V
Kapazitätsverhältnis

104W (Tc)

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Das Folgende sind "SIHD5N50D-GE3" -Einziper.

SIHD3N50D-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHD5N50D-GE3

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