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6094228SIHW33N60E-GE3-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHW33N60E-GE3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SIHW33N60E-GE3
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AD
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-247AD
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    99 mOhm @ 16.5A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    278W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-3P-3 Full Pack
  • Andere Namen
    SIHW33N60E-GE3CT
    SIHW33N60E-GE3CT-ND
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    3508pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    150nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    600V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 600V 33A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-247AD
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    33A (Tc)
SIHU3N50DA-GE3

SIHU3N50DA-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIHW23N60E-GE3

SIHW23N60E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 23A TO-247AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIHU2N80E-GE3

SIHU2N80E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIHU6N80E-GE3

SIHU6N80E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 800V TO-251

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIHU7N60E-E3

SIHU7N60E-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7A TO-251

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIHU4N80E-GE3

SIHU4N80E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 800V TO-251

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIHU6N62E-GE3

SIHU6N62E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 620V 6A TO-251

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIHW61N65EF-GE3

SIHW61N65EF-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 64A TO247AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIHW73N60E-GE3

SIHW73N60E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 73A TO-247AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIHU7N60E-GE3

SIHU7N60E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7A TO-251

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIHU3N50D-E3

SIHU3N50D-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIHW30N60E-GE3

SIHW30N60E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 29A TO-247AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIHU6N65E-GE3

SIHU6N65E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 6A IPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIHU3N50D-GE3

SIHU3N50D-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIHW47N60E-GE3

SIHW47N60E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIHW47N60EF-GE3

SIHW47N60EF-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIHU5N50D-GE3

SIHU5N50D-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIHU5N50D-E3

SIHU5N50D-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIHW70N60EF-GE3

SIHW70N60EF-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 70A TO-247AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIHW47N65E-GE3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247AD

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