SIRA00DP-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SIRA00DP-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.SIRA00DP-T1-GE3.pdf
2.SIRA00DP-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

+20V, -16V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® SO-8
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)

6.25W (Ta), 104W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® SO-8
Andere Namen

SIRA00DP-T1-GE3TR
SIRA00DPT1GE3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

11700pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

220nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 100A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

100A (Tc)

Das Folgende sind "SIRA00DP-T1-GE3" -Einziper.

SIRA00DP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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RFQ

SIR880ADP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SIRA04DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SIR882ADP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SIR892DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SIR890DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SIR928-6C-F

Beschreibung: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL

Hersteller: Everlight Electronics

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RFQ

SIR882DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SIRA02DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SIRA01DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V POWERPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SIR880DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SIR878BDP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

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SIRA06DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SIR878DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SIR888DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SIRA10BDP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 30V

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SIRA12BDP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 30V

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SIRA12DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

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SIRA14DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

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SIRA10DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

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