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SIRA00DP-T1-RE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SIRA00DP-T1-RE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO
Bleifreier Status / RoHS Status
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

+20V, -16V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® SO-8
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)

104W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® SO-8
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

11700pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

220nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 100A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

100A (Tc)

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Das Folgende sind "SIRA00DP-T1-RE3" -Einziper.

SIRA01DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V POWERPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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