SIRA01DP-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SIRA01DP-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 30V POWERPAK SO-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SIRA01DP-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

+16V, -20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® SO-8
Serie

TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.9 mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (max)

5W (Ta), 62.5W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® SO-8
Andere Namen

SIRA01DP-T1-GE3TR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3490pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

112nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 30V 26A (Ta), 60A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

26A (Ta), 60A (Tc)

Das Folgende sind "SIRA01DP-T1-GE3" -Einziper.

SIRA04DP-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Hersteller: Everlight Electronics

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Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

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