SUD50N03-06AP-T4E3

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Spezifikation

Artikelnummer

SUD50N03-06AP-T4E3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 90A TO252
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SUD50N03-06AP-T4E3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-252
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.7 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)

10W (Ta), 83W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3800pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

95nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 90A (Tc) 10W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount TO-252
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

90A (Tc)

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Das Folgende sind "SUD50N03-06AP-T4E3" -Einziper.

SUD50N03-12P-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SUD50N03-06AP-T4E3

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