SUD50N03-11-E3

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Spezifikation

Artikelnummer

SUD50N03-11-E3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 50A TO252
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SUD50N03-11-E3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA (Min)
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-252, (D-Pak)
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

11 mOhm @ 25A, 10V
Verlustleistung (max)

7.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1130pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 50A (Tc) 7.5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

50A (Tc)

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Das Folgende sind "SUD50N03-11-E3" -Einziper.

SUD50N04-8M8P-4GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 14A TO-252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SUD50N03-11-E3

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