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4765071MSRTA200120(A)D-Bild.GeneSiC Semiconductor

MSRTA200120(A)D

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  • Artikelnummer
    MSRTA200120(A)D
  • Hersteller / Marke
    GeneSiC Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    MSRTA200120(A)D.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 200A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    1200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    Three Tower
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    Three Tower
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • Diodenkonfiguration
    1 Pair Series Connection
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 1200V 200A Chassis Mount Three Tower
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 1200V
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    200A

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MSRTA300160(A)D

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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRT250140(A)

MSRT250140(A)

Beschreibung: DIODE MODULE 1.4KV 250A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRTA300120(A)D

MSRTA300120(A)D

Beschreibung: DIODE MODULE 1.2KV 300A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRTA20080(A)D

MSRTA20080(A)D

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRTA200160(A)D

MSRTA200160(A)D

Beschreibung: DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRT25060(A)

MSRT25060(A)

Beschreibung: DIODE MODULE 600V 250A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRT250120(A)

MSRT250120(A)

Beschreibung: DIODE MODULE 1.2KV 250A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRTA200140(A)D

MSRTA200140(A)D

Beschreibung: DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRT20080(A)

MSRT20080(A)

Beschreibung: DIODE MODULE 800V 200A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRT250100(A)

MSRT250100(A)

Beschreibung: DIODE MODULE 1KV 250A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRTA200100(A)D

MSRTA200100(A)D

Beschreibung: DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRTA30060(A)D

MSRTA30060(A)D

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 300A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRT250160(A)

MSRT250160(A)

Beschreibung: DIODE MODULE 1.6KV 250A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRTA20060(A)D

MSRTA20060(A)D

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRT20060(A)D

MSRT20060(A)D

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER

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Beschreibung: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER

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Beschreibung: DIODE MODULE 1KV 300A 3TOWER

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