Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Arrays > MSRTA20080(A)D
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
411107MSRTA20080(A)D-Bild.GeneSiC Semiconductor

MSRTA20080(A)D

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
18+
$60.147
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    MSRTA20080(A)D
  • Hersteller / Marke
    GeneSiC Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    MSRTA20080(A)D.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 200A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    800V
  • Supplier Device-Gehäuse
    Three Tower
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    Three Tower
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • Diodenkonfiguration
    1 Pair Series Connection
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 800V 200A Chassis Mount Three Tower
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 800V
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    200A

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "MSRTA20080(A)D" -Einziper.
MSRT25080(A)

MSRT25080(A)

Beschreibung: DIODE MODULE 800V 250A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRTA30080(A)

MSRTA30080(A)

Beschreibung: DIODE MODULE 800V 300A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRTA300100(A)D

MSRTA300100(A)D

Beschreibung: DIODE MODULE 1KV 300A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRT250120(A)

MSRT250120(A)

Beschreibung: DIODE MODULE 1.2KV 250A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRT250140(A)

MSRT250140(A)

Beschreibung: DIODE MODULE 1.4KV 250A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRTA200100(A)D

MSRTA200100(A)D

Beschreibung: DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRTA30060(A)D

MSRTA30060(A)D

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 300A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRTA20060(A)D

MSRTA20060(A)D

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRTA200140(A)D

MSRTA200140(A)D

Beschreibung: DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRTA400120(A)

MSRTA400120(A)

Beschreibung: DIODE MODULE 1.2KV 400A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRTA300160(A)D

MSRTA300160(A)D

Beschreibung: DIODE MODULE 1.6KV 300A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRTA200160(A)D

MSRTA200160(A)D

Beschreibung: DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRTA400100(A)

MSRTA400100(A)

Beschreibung: DIODE MODULE 1KV 400A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRT25060(A)

MSRT25060(A)

Beschreibung: DIODE MODULE 600V 250A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRTA30060(A)

MSRTA30060(A)

Beschreibung: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRT250160(A)

MSRT250160(A)

Beschreibung: DIODE MODULE 1.6KV 250A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRTA200120(A)D

MSRTA200120(A)D

Beschreibung: DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRTA300140(A)D

MSRTA300140(A)D

Beschreibung: DIODE MODULE 1.4KV 300A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRTA30080(A)D

MSRTA30080(A)D

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 300A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRTA300120(A)D

MSRTA300120(A)D

Beschreibung: DIODE MODULE 1.2KV 300A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.