Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Arrays > MSRTA200160(A)D
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
6726151MSRTA200160(A)D-Bild.GeneSiC Semiconductor

MSRTA200160(A)D

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
18+
$60.147
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    MSRTA200160(A)D
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 200A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    1600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    Three Tower
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    Three Tower
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • Diodenkonfiguration
    1 Pair Series Connection
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 1600V 200A Chassis Mount Three Tower
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 1600V
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    200A
MSRT250100(A)

MSRT250100(A)

Beschreibung: DIODE MODULE 1KV 250A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MSRTA30080(A)D

MSRTA30080(A)D

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 300A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MSRTA20060(A)D

MSRTA20060(A)D

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MSRTA300160(A)D

MSRTA300160(A)D

Beschreibung: DIODE MODULE 1.6KV 300A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MSRTA300120(A)D

MSRTA300120(A)D

Beschreibung: DIODE MODULE 1.2KV 300A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MSRTA300140(A)D

MSRTA300140(A)D

Beschreibung: DIODE MODULE 1.4KV 300A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MSRT250140(A)

MSRT250140(A)

Beschreibung: DIODE MODULE 1.4KV 250A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MSRTA30060(A)

MSRTA30060(A)

Beschreibung: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MSRTA30060(A)D

MSRTA30060(A)D

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 300A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MSRTA30080(A)

MSRTA30080(A)

Beschreibung: DIODE MODULE 800V 300A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MSRTA200140(A)D

MSRTA200140(A)D

Beschreibung: DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MSRT20080(A)D

MSRT20080(A)D

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MSRT250120(A)

MSRT250120(A)

Beschreibung: DIODE MODULE 1.2KV 250A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MSRT25060(A)

MSRT25060(A)

Beschreibung: DIODE MODULE 600V 250A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MSRT25080(A)

MSRT25080(A)

Beschreibung: DIODE MODULE 800V 250A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MSRTA200120(A)D

MSRTA200120(A)D

Beschreibung: DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MSRTA300100(A)D

MSRTA300100(A)D

Beschreibung: DIODE MODULE 1KV 300A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MSRTA20080(A)D

MSRTA20080(A)D

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MSRT250160(A)

MSRT250160(A)

Beschreibung: DIODE MODULE 1.6KV 250A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MSRTA200100(A)D

MSRTA200100(A)D

Beschreibung: DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden