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5432800

GP1M008A050PG-Bild.

Global Power Technologies Group

GP1M008A050PG

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Spezifikation

Artikelnummer

GP1M008A050PG
Hersteller / Marke

SemiQ
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 500V 8A IPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

GP1M008A050PG.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

I-PAK
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

850 mOhm @ 4A, 10V
Verlustleistung (max)

120W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

937pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

500V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 500V 8A (Tc) 120W (Tc) Through Hole I-PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

8A (Tc)

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Das Folgende sind "GP1M008A050PG" -Einziper.

GP1M007A065CG

GP1M007A065CG

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M009A060H

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 9A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M008A025PG

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 8A IPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M009A020HG

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 9A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M009A050FSH

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M007A090H

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 7A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M007A090FH

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 7A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M008A025FG

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 8A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M009A020CG

GP1M009A020CG

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M009A020PG

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 9A IPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M009A060FH

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 9A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M008A080H

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 8A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M008A050HG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 8A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M008A050FG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 8A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M008A080FH

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 8A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M008A025CG

GP1M008A025CG

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 8A DPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M009A020FG

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 9A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M008A050CG

GP1M008A050CG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 8A DPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M008A025HG

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 8A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M009A050HS

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

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