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GP1M009A060FH-Bild.

Global Power Technologies Group

GP1M009A060FH

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Spezifikation

Artikelnummer

GP1M009A060FH
Hersteller / Marke

SemiQ
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 9A TO220F
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

GP1M009A060FH.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220F
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1 Ohm @ 4.5A, 10V
Verlustleistung (max)

51.4W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3 Full Pack
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1440pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 9A (Tc) 51.4W (Tc) Through Hole TO-220F
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

9A (Tc)

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Das Folgende sind "GP1M009A060FH" -Einziper.

GP1M009A020CG

GP1M009A020CG

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M008A050PG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 8A IPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M009A090H

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 9A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M009A020HG

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 9A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M008A050HG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 8A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M009A050FSH

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M008A080FH

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 8A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M009A050HS

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M010A080N

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M009A020PG

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 9A IPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M009A060H

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 9A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M010A060H

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 10A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M009A090N

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M009A070F

Beschreibung: MOSFET N-CH 700V 9A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M009A090FH

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 9A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M010A080FH

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M009A020FG

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 9A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M008A080H

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 8A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M010A080H

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M010A060FH

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

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