Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

*Unternehmen
*Name
*Titel

*E-Mail-Addresse
*Telefonnummer

*Land
*Kontaktfenster
*Ereignisdatum

*Nachricht

Für Besucher von Electronica 2024

Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.

Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > GP2M007A080F

RFQs/Bestellung (0)

Deutsch

Deutsch

2821747

GP2M007A080F-Bild.

Global Power Technologies Group

GP2M007A080F

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

GP2M007A080F
Hersteller / Marke

SemiQ
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 800V 7A TO220F
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

GP2M007A080F.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220F
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.9 Ohm @ 3.5A, 10V
Verlustleistung (max)

50W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3 Full Pack
Andere Namen

1560-1203-1
1560-1203-1-ND
1560-1203-5
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1410pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

800V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 800V 7A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220F
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

7A (Tc)

relevante Nachrichten
Versand
Zahlungsmittel

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Microchip kündigt 500 Entlassungen an, wobei die Umstruktu...

Quanta: Die KI -Nachfrage ist weiterhin stark, mit einem st...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung reduziert die Verwendung von Photoresist in der 3D ...

Vishay wird 51 Millionen Pfund in den erworbenen NWF Wafer ...

Trumps Tarifbedrohung, Nvidia, Intel -Lieferanten, bewerten...

Intel erhält Subventionen in Höhe von 7,86 Milliarden US ...

Versand

Zahlung

Das Folgende sind "GP2M007A080F" -Einziper.

GP2M005A050FG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP2M005A050CG

GP2M005A050CG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP2M008A060PG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP2M008A060CG

GP2M008A060CG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP2M005A060PG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP2M008A060FGH

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP2M005A060HG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP2M008A060HG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP2M009A090FG

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 9A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP2M005A060CG

GP2M005A060CG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP2M010A060F

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP2M007A065HG

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 6.5A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP2M008A060PGH

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP2M005A050HG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP2M010A060H

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 10A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP2M005A060FG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP2M005A060PGH

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP2M005A050PG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP2M009A090NG

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 9A TO3PN

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP2M008A060FG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.

Folgen Sie uns.

Terms & Bedingungen Verstoßpolitik Fordern Sie ein Angebot an Über uns Kontaktiere uns Nachricht Seitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.