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GP2M008A060CG

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Spezifikation

Artikelnummer

GP2M008A060CG
Hersteller / Marke

SemiQ
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

GP2M008A060CG.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D-Pak
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2 Ohm @ 3.75A, 10V
Verlustleistung (max)

120W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1063pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 7.5A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount D-Pak
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

7.5A (Tc)

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Das Folgende sind "GP2M008A060CG" -Einziper.

GP2M005A050FG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP2M010A060H

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 10A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP2M009A090FG

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 9A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP2M008A060PG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP2M008A060FG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP2M005A060PGH

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP2M007A080F

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 7A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP2M005A050PG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP2M007A065HG

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 6.5A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP2M008A060PGH

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP2M010A065F

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP2M008A060FGH

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP2M009A090NG

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 9A TO3PN

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP2M005A060HG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP2M005A060FG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP2M005A060CG

GP2M005A060CG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP2M005A050HG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP2M010A060F

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP2M008A060HG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP2M005A060PG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group

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