IS61NVP25672-200B1I-TR

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Spezifikation

Artikelnummer

IS61NVP25672-200B1I-TR
Hersteller / Marke

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IS61NVP25672-200B1I-TR.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

2.375 V ~ 2.625 V
Technologie

SRAM - Synchronous
Supplier Device-Gehäuse

209-LFBGA (14x22)
Serie

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

209-BGA
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

18Mb (256K x 72)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

SRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SRAM - Synchronous Memory IC 18Mb (256K x 72) Parallel 200MHz 3.1ns 209-LFBGA (14x22)
Uhrfrequenz

200MHz
Zugriffszeit

3.1ns

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Das Folgende sind "IS61NVP25672-200B1I-TR" -Einziper.

IS61NVP51236-200B3I-TR

Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

vorrätig

IS61NVP25672-200B1I-TR

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