ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS61NVP409618B-250B3L-TR

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Spezifikation

Artikelnummer

IS61NVP409618B-250B3L-TR
Hersteller / Marke

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC SRAM 72M PARALLEL 250MHZ
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IS61NVP409618B-250B3L-TR.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

2.375 V ~ 2.625 V
Technologie

SRAM - Synchronous
Supplier Device-Gehäuse

165-TFBGA (13x15)
Serie

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

165-TBGA
Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

72Mb (4M x 18)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

SRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SRAM - Synchronous Memory IC 72Mb (4M x 18) Parallel 250MHz 2.8ns 165-TFBGA (13x15)
Uhrfrequenz

250MHz
Zugriffszeit

2.8ns

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Das Folgende sind "IS61NVP409618B-250B3L-TR" -Einziper.

IS61NVP51236-200B3I-TR

Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

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IS61NVP409618B-250B3L-TR

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