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270015IXFN32N120P-Bild.IXYS Corporation

IXFN32N120P

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vorrätig
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IXFN32N120P
  • Hersteller / Marke
    IXYS / Littelfuse
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    IXFN32N120P.pdf
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    6.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-227B
  • Serie
    Polar™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    310 mOhm @ 500mA, 10V
  • Verlustleistung (max)
    1000W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    24 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    21000pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    360nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    1200V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 1200V 32A (Tc) 1000W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    32A (Tc)

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Das Folgende sind "IXFN32N120P" -Einziper.
IXFN280N085

IXFN280N085

Beschreibung: MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXFN32N60

IXFN32N60

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 32A SOT-227

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXFN30N120P

IXFN30N120P

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXFN32N100Q3

IXFN32N100Q3

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXFN360N15T2

IXFN360N15T2

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 310A SOT227

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXFN34N100

IXFN34N100

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXFN36N110P

IXFN36N110P

Beschreibung: MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXFN34N80

IXFN34N80

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXFN30N110P

IXFN30N110P

Beschreibung: MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXFN320N17T2

IXFN320N17T2

Beschreibung: MOSFET N-CH 170V 260A SOT227

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXFN300N10P

IXFN300N10P

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 295A SOT-227

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXFN300N20X3

IXFN300N20X3

Beschreibung: 200V/300A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXFN36N100

IXFN36N100

Beschreibung: MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXFN280N07

IXFN280N07

Beschreibung: MOSFET N-CH 70V 280A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXFN340N06

IXFN340N06

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXFN360N10T

IXFN360N10T

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXFN32N80P

IXFN32N80P

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B

Hersteller: IXYS
vorrätig
RFQ
IXFN32N100P

IXFN32N100P

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXFN27N80Q

IXFN27N80Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXFN340N07

IXFN340N07

Beschreibung: MOSFET N-CH 70V 340A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
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