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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > IXFN30N120P

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IXFN30N120P-Bild.

IXYS Corporation

IXFN30N120P

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vorrätig

10+

$44.011

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

IXFN30N120P
Hersteller / Marke

IXYS / Littelfuse
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IXFN30N120P.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

6.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-227B
Serie

Polar™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

350 mOhm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (max)

890W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

SOT-227-4, miniBLOC
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

24 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

19000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

310nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

1200V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 1200V 30A (Tc) 890W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

30A (Tc)

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Das Folgende sind "IXFN30N120P" -Einziper.

IXFN320N17T2

Beschreibung: MOSFET N-CH 170V 260A SOT227

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN30N110P

Beschreibung: MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN26N100P

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN300N10P

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 295A SOT-227

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN340N06

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN32N100Q3

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN26N120P

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN32N100P

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN280N07

Beschreibung: MOSFET N-CH 70V 280A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN300N20X3

Beschreibung: 200V/300A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN26N90

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN34N100

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN340N07

Beschreibung: MOSFET N-CH 70V 340A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN280N085

Beschreibung: MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN32N60

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 32A SOT-227

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN32N120P

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN34N80

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN32N80P

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B

Hersteller: IXYS

vorrätig

IXFN27N80

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN27N80Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

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