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4860644IXFN280N085-Bild.IXYS Corporation

IXFN280N085

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IXFN280N085
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 8mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-227B
  • Serie
    HiPerFET™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.4 mOhm @ 100A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    700W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    19000pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    580nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    85V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 85V 280A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    280A (Tc)
IXFN24N90Q

IXFN24N90Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 24A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXFN27N80

IXFN27N80

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXFN300N10P

IXFN300N10P

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 295A SOT-227

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXFN30N120P

IXFN30N120P

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXFN26N120P

IXFN26N120P

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXFN32N80P

IXFN32N80P

Beschreibung:

Hersteller: IXYS
vorrätig
IXFN32N120P

IXFN32N120P

Beschreibung:

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXFN320N17T2

IXFN320N17T2

Beschreibung: MOSFET N-CH 170V 260A SOT227

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXFN280N07

IXFN280N07

Beschreibung: MOSFET N-CH 70V 280A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXFN32N60

IXFN32N60

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 32A SOT-227

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXFN32N100Q3

IXFN32N100Q3

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXFN26N90

IXFN26N90

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXFN32N100P

IXFN32N100P

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXFN260N17T

IXFN260N17T

Beschreibung: MOSFET N-CH 170V 245A SOT-227

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXFN300N20X3

IXFN300N20X3

Beschreibung: 200V/300A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXFN26N100P

IXFN26N100P

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXFN25N90

IXFN25N90

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXFN24N100F

IXFN24N100F

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B

Hersteller: IXYS RF
vorrätig
IXFN27N80Q

IXFN27N80Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXFN30N110P

IXFN30N110P

Beschreibung: MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
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