Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > IPB120N04S3-02
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
4618836IPB120N04S3-02-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB120N04S3-02

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    IPB120N04S3-02
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 230µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    D²PAK (TO-263AB)
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2 mOhm @ 80A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    300W (Tc)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Andere Namen
    IPB120N04S3-02CT
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    14300pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    210nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    40V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 40V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    120A (Tc)
IPB120N06S402ATMA2

IPB120N06S402ATMA2

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB120N04S4L02ATMA1

IPB120N04S4L02ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB120N04S402ATMA1

IPB120N04S402ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB10N03LB

IPB10N03LB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB120N06S4H1ATMA1

IPB120N06S4H1ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB120N06N G

IPB120N06N G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 75A TO-263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB11N03LA

IPB11N03LA

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB108N15N3GATMA1

IPB108N15N3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 83A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB110N06L G

IPB110N06L G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 78A TO-263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB110N20N3LFATMA1

IPB110N20N3LFATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 200 D2PAK-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB120N03S4L03ATMA1

IPB120N03S4L03ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB10N03LB G

IPB10N03LB G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB120N06S403ATMA1

IPB120N06S403ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB114N03L G

IPB114N03L G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 30A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB120N06S403ATMA2

IPB120N06S403ATMA2

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB120N06S402ATMA1

IPB120N06S402ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB11N03LA G

IPB11N03LA G

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB120N04S404ATMA1

IPB120N04S404ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB120N04S401ATMA1

IPB120N04S401ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB117N20NFDATMA1

IPB117N20NFDATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 84A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden