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IPB120N04S401ATMA1-Bild.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB120N04S401ATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

IPB120N04S401ATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPB120N04S401ATMA1.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 140µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D²PAK (TO-263AB)
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5 mOhm @ 100A, 10V
Verlustleistung (max)

188W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

IPB120N04S4-01
IPB120N04S4-01-ND
IPB120N04S401ATMA1TR
SP000705700
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

176nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 40V 120A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

120A (Tc)

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IPB120N04S404ATMA1

IPB120N04S404ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB120N04S402ATMA1

IPB120N04S402ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB110N20N3LFATMA1

IPB110N20N3LFATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 200 D2PAK-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB114N03L G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 30A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB120N06S402ATMA1

IPB120N06S402ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB120N06N G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 75A TO-263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB11N03LA G

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB120N06S4H1ATMA1

IPB120N06S4H1ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB120N06S403ATMA1

IPB120N06S403ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB10N03LB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB120N06S4H1ATMA2

IPB120N06S4H1ATMA2

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB110N06L G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 78A TO-263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB120N03S4L03ATMA1

IPB120N03S4L03ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB117N20NFDATMA1

IPB117N20NFDATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 84A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB120N06S402ATMA2

IPB120N06S402ATMA2

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IPB10N03LB G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IPB11N03LA

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB120N04S4L02ATMA1

IPB120N04S4L02ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IPB120N06S403ATMA2

IPB120N06S403ATMA2

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB120N04S3-02

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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