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365203IPB120N04S404ATMA1-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB120N04S404ATMA1

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  • Artikelnummer
    IPB120N04S404ATMA1
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH TO263-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    IPB120N04S404ATMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 40µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    D²PAK (TO-263AB)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.6 mOhm @ 100A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    79W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Andere Namen
    SP000952816
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    4100pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    55nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    40V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 40V 120A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    120A (Tc)

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IPB110N20N3LFATMA1

IPB110N20N3LFATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 200 D2PAK-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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IPB120N06S4H1ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB114N03L G

IPB114N03L G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 30A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB120N08S403ATMA1

IPB120N08S403ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB120N04S401ATMA1

IPB120N04S401ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB120N04S3-02

IPB120N04S3-02

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB120N06S403ATMA2

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB117N20NFDATMA1

IPB117N20NFDATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 84A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB120N06S403ATMA1

IPB120N06S403ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB120N03S4L03ATMA1

IPB120N03S4L03ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB120N06S4H1ATMA2

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB120N06S402ATMA2

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB110N06L G

IPB110N06L G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 78A TO-263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB120N04S4L02ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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IPB120N06S402ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB11N03LA G

IPB11N03LA G

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB120N08S404ATMA1

IPB120N08S404ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3

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RFQ
IPB120N06N G

IPB120N06N G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 75A TO-263

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vorrätig
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IPB11N03LA

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Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

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IPB120N04S402ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2

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