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IPD12CNE8N G-Bild.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD12CNE8N G

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Spezifikation

Artikelnummer

IPD12CNE8N G
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPD12CNE8N G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 83µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO252-3
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.4 mOhm @ 67A, 10V
Verlustleistung (max)

125W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

IPD12CNE8N G-ND
IPD12CNE8NG
SP000096477
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4340pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

64nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

85V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 85V 67A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

67A (Tc)

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