International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD12N03LB G

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Spezifikation

Artikelnummer

IPD12N03LB G
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 30A TO-252
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPD12N03LB G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 20µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO252-3
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.6 mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max)

52W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

IPD12N03LB G-ND
IPD12N03LBGINTR
IPD12N03LBGXT
SP000016413
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 30A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

30A (Tc)

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Das Folgende sind "IPD12N03LB G" -Einziper.

IPD13N03LA G

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 30A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPD12N03LB G

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