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IRFB4229PBF-Bild.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFB4229PBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRFB4229PBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 250V 46A TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRFB4229PBF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220AB
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

46 mOhm @ 26A, 10V
Verlustleistung (max)

330W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Andere Namen

SP001565910
Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4560pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

250V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 250V 46A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

46A (Tc)

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Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 115A TO-220AB

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 83A TO-220AB

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 130A TO-220AB

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