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IRFB4233PBF-Bild.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFB4233PBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRFB4233PBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 230V 56A TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRFB4233PBF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220AB
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

37 mOhm @ 28A, 10V
Verlustleistung (max)

370W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Andere Namen

SP001577810
Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5510pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

170nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

230V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 230V 56A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-220AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

56A (Tc)

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