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IRFB42N20D-Bild.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFB42N20D

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Spezifikation

Artikelnummer

IRFB42N20D
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 200V 44A TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

IRFB42N20D.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220AB
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

55 mOhm @ 26A, 10V
Verlustleistung (max)

2.4W (Ta), 330W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Andere Namen

*IRFB42N20D
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3430pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

140nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

200V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 200V 44A (Tc) 2.4W (Ta), 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

44A (Tc)

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