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IRFB4310GPBF-Bild.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFB4310GPBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRFB4310GPBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 130A TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRFB4310GPBF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220AB
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

7 mOhm @ 75A, 10V
Verlustleistung (max)

300W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Andere Namen

SP001564018
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7670pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

250nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 130A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

130A (Tc)

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