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226752

R6024ENJTL-Bild.

LAPIS Semiconductor

R6024ENJTL

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Spezifikation

Artikelnummer

R6024ENJTL
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 24A LPT
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.R6024ENJTL.pdf
2.R6024ENJTL.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

LPTS (D2PAK)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

165 mOhm @ 11.3A, 10V
Verlustleistung (max)

40W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

R6024ENJTLCT
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

17 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1650pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 24A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount LPTS (D2PAK)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

24A (Tc)

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Das Folgende sind "R6024ENJTL" -Einziper.

R6021022PSYA

R6021022PSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6020KNZC8

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO3PF

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6020KNZ1C9

Beschreibung: NCH 600V 20A POWER MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6025ANZC8

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6024KNJTL

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A LPTS

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6025FNZ1C9

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 25A TO247

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6021035ESYA

R6021035ESYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6021025HSYA

R6021025HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6021435ESYA

R6021435ESYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6024ENX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 24A TO220

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6021425HSYA

R6021425HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6024KNZC8

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO3PF

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6024ENZ1C9

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 24A TO247

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6024KNX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6024KNZ1C9

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO247

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6021222PSYA

R6021222PSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6021225HSYA

R6021225HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6025FNZC8

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6024ENZC8

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6021235ESYA

R6021235ESYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

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