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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > R6024ENZC8

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R6024ENZC8-Bild.

LAPIS Semiconductor

R6024ENZC8

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Spezifikation

Artikelnummer

R6024ENZC8
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

R6024ENZC8.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-3PF
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

165 mOhm @ 11.3A, 10V
Verlustleistung (max)

120W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-3P-3 Full Pack
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

17 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1650pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 24A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

24A (Tc)

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Das Folgende sind "R6024ENZC8" -Einziper.

R6030225HSYA

R6030225HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 250A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6021025HSYA

R6021025HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6021222PSYA

R6021222PSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6024KNJTL

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A LPTS

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6021425HSYA

R6021425HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6024KNZC8

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO3PF

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6021235ESYA

R6021235ESYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6025FNZ1C9

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 25A TO247

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6030235ESYA

R6030235ESYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 350A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6024ENZ1C9

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 24A TO247

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6024KNX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6024ENX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 24A TO220

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6021435ESYA

R6021435ESYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6024KNZ1C9

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO247

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6021035ESYA

R6021035ESYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6021225HSYA

R6021225HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6025ANZC8

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6024ENJTL

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 24A LPT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6025FNZC8

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6030222PSYA

R6030222PSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 220A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.

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