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R6021225HSYA

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    R6021225HSYA
  • Hersteller / Marke
    Powerex, Inc.
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    R6021225HSYA.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    2V @ 800A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    1200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-205AB, DO-9
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    1µs
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-205AB, DO-9, Stud
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -45°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Chassis, Stud Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 1200V 250A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    50mA @ 1200V
  • Strom - Richt (Io)
    250A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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Das Folgende sind "R6021225HSYA" -Einziper.
R6024ENZ1C9

R6024ENZ1C9

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 24A TO247

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R6021222PSYA

R6021222PSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
R6020KNZC8

R6020KNZC8

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO3PF

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R6021235ESYA

R6021235ESYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
R6020FNJTL

R6020FNJTL

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20A LPT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R6024KNX

R6024KNX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R6024ENJTL

R6024ENJTL

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 24A LPT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R6020KNX

R6020KNX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R6021435ESYA

R6021435ESYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
R6020FNX

R6020FNX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R6024ENX

R6024ENX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 24A TO220

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R6021035ESYA

R6021035ESYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
R6020KNZ1C9

R6020KNZ1C9

Beschreibung: NCH 600V 20A POWER MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R6024KNZ1C9

R6024KNZ1C9

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO247

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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RFQ
R6021025HSYA

R6021025HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
R6021022PSYA

R6021022PSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
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RFQ
R6024ENZC8

R6024ENZC8

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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R6021425HSYA

R6021425HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
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RFQ
R6020KNJTL

R6020KNJTL

Beschreibung: NCH 600V 20A POWER MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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R6024KNJTL

R6024KNJTL

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A LPTS

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