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R6024KNJTL

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    R6024KNJTL
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CHANNEL 600V 24A LPTS
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    LPTS
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    165 mOhm @ 11.3A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    245W (Tc)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Andere Namen
    R6024KNJTLCT
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    17 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    2000pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    45nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    600V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 600V 24A (Tc) 245W (Tc) Surface Mount LPTS
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    24A (Tc)
R6021222PSYA

R6021222PSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
R6024ENJTL

R6024ENJTL

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 24A LPT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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R6025FNZ1C9

R6025FNZ1C9

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 25A TO247

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
R6021425HSYA

R6021425HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
R6021225HSYA

R6021225HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
R6021435ESYA

R6021435ESYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
R6024ENX

R6024ENX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 24A TO220

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
R6024ENZC8

R6024ENZC8

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
R6025ANZC8

R6025ANZC8

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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R6030225HSYA

R6030225HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 250A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.
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R6024KNZC8

R6024KNZC8

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO3PF

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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R6021235ESYA

R6021235ESYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
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R6024KNZ1C9

R6024KNZ1C9

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO247

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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R6021035ESYA

R6021035ESYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
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R6030422PSYA

R6030422PSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
R6025FNZC8

R6025FNZC8

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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R6030222PSYA

R6030222PSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 220A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.
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R6030235ESYA

R6030235ESYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 350A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.
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R6024ENZ1C9

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 24A TO247

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R6024KNX

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM

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