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2437756RFN10B3STL-Bild.Rohm Semiconductor

RFN10B3STL

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RFN10B3STL
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 350V 10A CPD
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    RFN10B3STL.pdf
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    Standard
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    10A
  • Spannung - Durchschlag
    CPD
  • Serie
    -
  • RoHS Status
    Digi-Reel®
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Widerstand @ If, F
    -
  • Polarisation
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Andere Namen
    RFN10B3STLDKR
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    30ns
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    RFN10B3STL
  • Expanded Beschreibung
    Diode Standard 350V 10A Surface Mount CPD
  • Diodenkonfiguration
    10µA @ 350V
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 350V 10A CPD
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1.5V @ 10A
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    350V
  • Kapazität @ Vr, F
    150°C (Max)

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RFN1L7STE25

RFN1L7STE25

Beschreibung: DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDS

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RFN20NS4SFHTL

RFN20NS4SFHTL

Beschreibung: FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q101 QU

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RFN20TJ6SGC9

RFN20TJ6SGC9

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RFN10BM3SFHTL

RFN10BM3SFHTL

Beschreibung: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RFN1LAM6STR

RFN1LAM6STR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RFN1L6STE25

RFN1L6STE25

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RFN10NS6STL

RFN10NS6STL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RFN10T2D

RFN10T2D

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 200V 5A TO220FN

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RFN10BM3STL

RFN10BM3STL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 350V 10A TO252

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RFN20NS6SFHTL

RFN20NS6SFHTL

Beschreibung: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RFN2L4STE25

RFN2L4STE25

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 400V 1.5A PMDS

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RFN20NS3SFHTL

RFN20NS3SFHTL

Beschreibung: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RFN10NS6SFHTL

RFN10NS6SFHTL

Beschreibung: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RFN20TF6S

RFN20TF6S

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RFN20NS6STL

RFN20NS6STL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 20A LPDS

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RFN10BM6SFHTL

RFN10BM6SFHTL

Beschreibung: SUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RFN1LAM7STFTR

RFN1LAM7STFTR

Beschreibung: AUTOMOTIVE FAST RECOVERY DIODE (

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RFN1LAM7STR

RFN1LAM7STR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDTM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RFN20TF6SFH

RFN20TF6SFH

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RFN10TF6S

RFN10TF6S

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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