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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > RFN10BM3STL

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6879454

RFN10BM3STL-Bild.

LAPIS Semiconductor

RFN10BM3STL

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5000+

$0.487

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

RFN10BM3STL
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE GEN PURP 350V 10A TO252
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.RFN10BM3STL.pdf
2.RFN10BM3STL.pdf
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 10A
Spannung - Sperr (Vr) (max)

350V
Supplier Device-Gehäuse

TO-252
Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie

-
Rückwärts-Erholzeit (Trr)

30ns
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

RFN10BM3STLTR
Betriebstemperatur - Anschluss

150°C (Max)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp

Standard
detaillierte Beschreibung

Diode Standard 350V 10A Surface Mount TO-252
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

10µA @ 350V
Strom - Richt (Io)

10A
Kapazität @ Vr, F

-

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Das Folgende sind "RFN10BM3STL" -Einziper.

RFN10B3STL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 350V 10A CPD

Hersteller: Rohm Semiconductor

vorrätig

RFN10NS6SFHTL

Beschreibung: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN1LAM6STR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN1LAM7STR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDTM

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN2L4STE25

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 400V 1.5A PMDS

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN20TJ6SGC9

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN20TF6S

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN10NS6STL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN20NS3SFHTL

Beschreibung: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN10BM6SFHTL

Beschreibung: SUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN1L6STE25

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN20NS6SFHTL

Beschreibung: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN20NS4SFHTL

Beschreibung: FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q101 QU

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN1LAM7STFTR

Beschreibung: AUTOMOTIVE FAST RECOVERY DIODE (

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN10TF6S

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN10BM3SFHTL

Beschreibung: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN10T2D

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 200V 5A TO220FN

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN20TF6SFH

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN20NS6STL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 20A LPDS

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN1L7STE25

Beschreibung: DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDS

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

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