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2326877RFN3BGE6STL-Bild.LAPIS Semiconductor

RFN3BGE6STL

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RFN3BGE6STL
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    SUPER FAST RECOVERY DIODE
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    RFN3BGE6STL.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.55V @ 3A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-252GE
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    30ns
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Andere Namen
    RFN3BGE6STLDKR
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    150°C (Max)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 3A Surface Mount TO-252GE
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    3A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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Das Folgende sind "RFN3BGE6STL" -Einziper.
RFN20TF6SFH

RFN20TF6SFH

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RFN5B3STL

RFN5B3STL

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE CPD

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RFN5BGE3STL

RFN5BGE3STL

Beschreibung: SUPER FAST RECOVERY DIODE

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RFN3BM2STL

RFN3BM2STL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RFN30TS6SGC11

RFN30TS6SGC11

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RFN2LAM4STR

RFN2LAM4STR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1.5A PMDTM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RFN2L6STE25

RFN2L6STE25

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDS

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RFN3B6STL

RFN3B6STL

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE CPD

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RFN20TJ6SGC9

RFN20TJ6SGC9

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RFN5B6STL

RFN5B6STL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A CPD

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RFN3BM6STL

RFN3BM6STL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A TO252

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RFN3BM6SFHTL

RFN3BM6SFHTL

Beschreibung: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RFN30TS6DGC11

RFN30TS6DGC11

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 600V 15A TO247

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RFN3BM2SFHTL

RFN3BM2SFHTL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RFN2LAM6STR

RFN2LAM6STR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RFN5BM2SFHTL

RFN5BM2SFHTL

Beschreibung: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RFN2L4STE25

RFN2L4STE25

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 400V 1.5A PMDS

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RFN5BM2STL

RFN5BM2STL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 5A TO252

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RFN3B2STL

RFN3B2STL

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE CPD

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
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RFN5B2STL

RFN5B2STL

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE CPD

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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