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1598748RFN30TS6DGC11-Bild.LAPIS Semiconductor

RFN30TS6DGC11

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RFN30TS6DGC11
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE ARRAY GP 600V 15A TO247
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.55V @ 15A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-247
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    55ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-247-3
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    150°C (Max)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • Diodenkonfiguration
    1 Pair Common Cathode
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600V 15A Through Hole TO-247-3
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    15A
RFN2LAM6STR

RFN2LAM6STR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN3B2STL

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Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE CPD

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN3BM6STL

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A TO252

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN20TF6SFH

RFN20TF6SFH

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN2LAM4STR

RFN2LAM4STR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1.5A PMDTM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN3BM2SFHTL

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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RFN20TF6S

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN20NS6SFHTL

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Beschreibung: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN30TS6SGC11

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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RFN2L6STE25

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Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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RFN3B6STL

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Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE CPD

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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RFN5B3STL

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Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE CPD

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN3BGE6STL

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Beschreibung: SUPER FAST RECOVERY DIODE

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN20TJ6SGC9

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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RFN20NS6STL

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 20A LPDS

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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RFN20NS4SFHTL

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Beschreibung: FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q101 QU

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN5B2STL

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Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE CPD

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN2L4STE25

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Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFN3BM2STL

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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RFN3BM6SFHTL

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Beschreibung: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

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