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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-RF > RN262GT2R

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1307159

RN262GT2R-Bild.

LAPIS Semiconductor

RN262GT2R

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Spezifikation

Artikelnummer

RN262GT2R
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMD2
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.RN262GT2R.pdf
2.RN262GT2R.pdf
Spannung - Spitzensperr- (max)

30V
Supplier Device-Gehäuse

VMD2
Serie

-
Widerstand @ If, F

1.5 Ohm @ 10mA, 100MHz
Verlustleistung (max)

100mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

2-SMD, Flat Lead
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp

PIN - Single
detaillierte Beschreibung

RF Diode PIN - Single 30V 100mA 100mW VMD2
Strom - Max

100mA
Kapazität @ Vr, F

0.4pF @ 1V, 1MHz

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Das Folgende sind "RN262GT2R" -Einziper.

RN2704JE(TE85L,F)

RN2704JE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2707JE(TE85L,F)

RN2707JE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2606(TE85L,F)

RN2606(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2601(TE85L,F)

RN2601(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2607(TE85L,F)

RN2607(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2710JE(TE85L,F)

RN2710JE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2604(TE85L,F)

RN2604(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2702TE85LF

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2708JE(TE85L,F)

RN2708JE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2608(TE85L,F)

RN2608(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2610(TE85L,F)

RN2610(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2706JE(TE85L,F)

RN2706JE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2603(TE85L,F)

RN2603(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2701JE(TE85L,F)

RN2701JE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2705JE(TE85L,F)

RN2705JE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2605(TE85L,F)

RN2605(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2602(TE85L,F)

RN2602(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2709JE(TE85L,F)

RN2709JE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2703JE(TE85L,F)

RN2703JE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN262CST2R

Beschreibung: DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMN2

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

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