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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-RF > RN262CST2R
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5244444RN262CST2R-Bild.LAPIS Semiconductor

RN262CST2R

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  • Artikelnummer
    RN262CST2R
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMN2
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    RN262CST2R.pdf
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    30V
  • Supplier Device-Gehäuse
    VMN2
  • Serie
    -
  • Widerstand @ If, F
    1.5 Ohm @ 10mA, 100MHz
  • Verlustleistung (max)
    100mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    2-SMD, Flat Lead
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    PIN - Single
  • detaillierte Beschreibung
    RF Diode PIN - Single 30V 100mA 100mW VMN2
  • Strom - Max
    100mA
  • Kapazität @ Vr, F
    0.4pF @ 1V, 1MHz

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RN2607(TE85L,F)

RN2607(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN25S-I/RM

RN25S-I/RM

Beschreibung: RF TXRX MOD BLUETOOTH CHIP ANT

Hersteller: Micrel / Microchip Technology
vorrätig
RFQ
RN2603(TE85L,F)

RN2603(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN2706JE(TE85L,F)

RN2706JE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN2708JE(TE85L,F)

RN2708JE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN2602(TE85L,F)

RN2602(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN2702TE85LF

RN2702TE85LF

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN2608(TE85L,F)

RN2608(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN2610(TE85L,F)

RN2610(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN2709JE(TE85L,F)

RN2709JE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN2605(TE85L,F)

RN2605(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN2707JE(TE85L,F)

RN2707JE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN2701JE(TE85L,F)

RN2701JE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN2601(TE85L,F)

RN2601(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN2703JE(TE85L,F)

RN2703JE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN2606(TE85L,F)

RN2606(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN262GT2R

RN262GT2R

Beschreibung: DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMD2

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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RN2704JE(TE85L,F)

RN2704JE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2705JE(TE85L,F)

RN2705JE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2604(TE85L,F)

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Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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