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2276165RN2703JE(TE85L,F)-Bild.Toshiba Semiconductor and Storage

RN2703JE(TE85L,F)

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  • Artikelnummer
    RN2703JE(TE85L,F)
  • Hersteller / Marke
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    RN2703JE(TE85L,F).pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor-Typ
    2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
  • Supplier Device-Gehäuse
    ESV
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    22 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    22 kOhms
  • Leistung - max
    100mW
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-553
  • Andere Namen
    RN2703JE(TE85LF)CT
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    200MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    70 @ 10mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    100nA (ICBO)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA

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Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

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RN262CST2R

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