RN2706JE(TE85L,F)

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Spezifikation

Artikelnummer

RN2706JE(TE85L,F)
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

RN2706JE(TE85L,F).pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ

2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Supplier Device-Gehäuse

ESV
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

4.7 kOhms
Leistung - max

100mW
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

SOT-553
Andere Namen

RN2706JE(TE85LF)CT
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

200MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

80 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA

Das Folgende sind "RN2706JE(TE85L,F)" -Einziper.

RN2901FE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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RFQ

RN2608(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

RN2702TE85LF

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

RN262CST2R

Beschreibung: DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMN2

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFQ

RN2710JE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

RN2701JE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

RN2705JE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

RN2711(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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RFQ

RN2703JE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

RN2709JE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

RN2607(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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RFQ

RN2704JE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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RFQ

RN2707JE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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RFQ

RN2610(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

RN2712JE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

RN2901(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

RN2713JE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

RN2708JE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

RN2711JE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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RN262GT2R

Beschreibung: DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMD2

Hersteller: LAPIS Semiconductor

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