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6884997RQ1A070APTR-Bild.LAPIS Semiconductor

RQ1A070APTR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RQ1A070APTR
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.RQ1A070APTR.pdf
    2.RQ1A070APTR.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    -8V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TSMT8
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    14 mOhm @ 7A, 4.5V
  • Verlustleistung (max)
    550mW (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SMD, Flat Lead
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    7800pF @ 6V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    80nC @ 4.5V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    12V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 12V 7A (Ta) 550mW (Ta) Surface Mount TSMT8
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    7A (Ta)

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Das Folgende sind "RQ1A070APTR" -Einziper.
RQ1E070RPTR

RQ1E070RPTR

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RQ1E050RPTR

RQ1E050RPTR

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
NVMFS5C645NLT3G

NVMFS5C645NLT3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V DFN5

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
RQ1C065UNTR

RQ1C065UNTR

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
AON6280

AON6280

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 17A 8DFN

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
SISA14DN-T1-GE3

SISA14DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
TSM70N380CH C5G

TSM70N380CH C5G

Beschreibung: MOSFET N-CH 700V 11A TO251

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RQ1C075UNTR

RQ1C075UNTR

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
IRFU3910PBF

IRFU3910PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 16A I-PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SUP25P10-138-GE3

SUP25P10-138-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 16.3A TO220AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
FDD8876

FDD8876

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 73A D-PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDD8882

FDD8882

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 55A D-PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
RQ1A070ZPTR

RQ1A070ZPTR

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
IXTT10P50

IXTT10P50

Beschreibung: MOSFET P-CH 500V 10A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
SI1056X-T1-E3

SI1056X-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 1.32A SOT563F

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
TK8Q65W,S1Q

TK8Q65W,S1Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
SIS413DN-T1-GE3

SIS413DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
NTMFS5C645NLT1G

NTMFS5C645NLT1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 22A 100A 5DFN

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
RQ1E100XNTR

RQ1E100XNTR

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10A TSMT8

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RQ1A060ZPTR

RQ1A060ZPTR

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
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