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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > RQ1E100XNTR

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2270412

RQ1E100XNTR-Bild.

LAPIS Semiconductor

RQ1E100XNTR

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Spezifikation

Artikelnummer

RQ1E100XNTR
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 10A TSMT8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.RQ1E100XNTR.pdf
2.RQ1E100XNTR.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TSMT8
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.5 mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max)

550mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SMD, Flat Lead
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1000pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.7nC @ 5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 10A (Ta) 550mW (Ta) Surface Mount TSMT8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

10A (Ta)

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Das Folgende sind "RQ1E100XNTR" -Einziper.

FDD6778A

FDD6778A

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 12A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

SIR462DP-T1-GE3

SIR462DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

FDB3632-F085

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 12A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RQ1C065UNTR

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

BUK661R6-30C,118

BUK661R6-30C,118

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK

Hersteller: Nexperia

vorrätig

STB16PF06LT4

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 16A D2PAK

Hersteller: STMicroelectronics

vorrätig

STW43NM50N

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 37A TO-247

Hersteller: STMicroelectronics

vorrätig

RQ1A070ZPTR

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RQ1C075UNTR

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

2SK4198FS

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 4A TO-220F-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

SPW21N50C3FKSA1

SPW21N50C3FKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 560V 21A TO-247

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RQ1A060ZPTR

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

STF13N95K3

Beschreibung: MOSFET N-CH 950V 10A TO220FP

Hersteller: STMicroelectronics

vorrätig

RQ1E070RPTR

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RQ1E050RPTR

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RQ1A070APTR

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

IXFT58N20Q TRL

IXFT58N20Q TRL

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 58A TO268

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

FDB3652-F085

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

STD12NF06T4

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK

Hersteller: STMicroelectronics

vorrätig

NTD18N06-001

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 18A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

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