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256442RQ1A060ZPTR-Bild.LAPIS Semiconductor

RQ1A060ZPTR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RQ1A060ZPTR
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.RQ1A060ZPTR.pdf
    2.RQ1A060ZPTR.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TSMT8
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    23 mOhm @ 6A, 4.5V
  • Verlustleistung (max)
    700mW (Ta)
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SMD, Flat Lead
  • Andere Namen
    RQ1A060ZPTRDKR
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    2800pF @ 6V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    34nC @ 4.5V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    12V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 12V 6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSMT8
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    6A (Ta)

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Zahlung
Das Folgende sind "RQ1A060ZPTR" -Einziper.
DMP2170U-13

DMP2170U-13

Beschreibung: MOSFET PCH 20V 3.1A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RZR025P01TL

RZR025P01TL

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 2.5A TSMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RQ1A070ZPTR

RQ1A070ZPTR

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
STWA48N60DM2

STWA48N60DM2

Beschreibung: MOSFET

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
RQ1C075UNTR

RQ1C075UNTR

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
TPH4R003NL,L1Q

TPH4R003NL,L1Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 63A 8SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
SI7840BDP-T1-E3

SI7840BDP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
NDD60N360U1T4G

NDD60N360U1T4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 114A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
ES6U1T2R

ES6U1T2R

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
DMN2300UFB4-7B

DMN2300UFB4-7B

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RQ1A070APTR

RQ1A070APTR

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
IRFR2407TRR

IRFR2407TRR

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
DMN10H220LVT-13

DMN10H220LVT-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT3003LFG-13

DMT3003LFG-13

Beschreibung: MOSFET NCH 30V 22A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RQ1C065UNTR

RQ1C065UNTR

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
BUK6Y12-30PX

BUK6Y12-30PX

Beschreibung: BUK6Y12-30P/SOT669/LFPAK

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
NTTFS4985NFTWG

NTTFS4985NFTWG

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 64A U8FL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
RQ1E050RPTR

RQ1E050RPTR

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RQ1E070RPTR

RQ1E070RPTR

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RQ1E100XNTR

RQ1E100XNTR

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10A TSMT8

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
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